量子エレクトロニクス研究室(畑・永井グループ)

High-brightness electron, ion and photon beam for material analysis

電界放出型スピン偏極電子源



電子スピンの自由度を、デバイスの動作に応用するスピントロニクスの分野が,近年注目を浴びています.しかしながら,ナノ領域でのスピン物性評価装置は,一般のデバイス開発者に浸透していません.そこで,既存の電子顕微鏡等に搭載可能なスピン偏極電子源の開発を進めています.本研究では,電界放出顕微鏡(FEM)にMott散乱スピン検出器を搭載したSpin-FEMを試作し、理論的にフェルミ準位のスピン偏極度が100%であるハーフメタル材料を用いた陰極の開発を進めています.


スピン偏極電子源の概念図

電界放出型スピン偏極電子源の概念図

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電界放出電子スピン分光装置